澤攸ZEM20Ultro臺式場發射掃描電子顯微鏡是專為科研與工業場景設計的緊湊型高分辨率成像設備，其核心參數覆蓋廣泛的應用需求。設備采用冷場發射電子槍，曲率半徑小于10nm的鎢單晶針尖可穩定發射高亮度電子束，使用壽命超2000小時。加速電壓范圍3kV-20kV連續可調，1kV步進，在30kV時分辨率達1.5nm，1kV時為10nm，可清晰捕捉納米級微觀結構。放大倍數范圍200-360,000倍，適配從宏觀全貌到納米細節的觀測需求。

樣品臺采用五軸全自動設計，X/Y/Z三軸行程分別達90mm/50mm/32mm，旋轉角度360°，傾斜范圍-10°-90°，移動精度1μm。配合光學CCD導航與艙內攝像頭，可實現快速精準定位。真空系統支持高真空（≤1×10??Pa）與低真空（1-100Pa）雙模式，高真空模式抽真空時間小于30秒，低真空模式可無需鍍膜直接觀測非導電樣品，避免傳統設備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。

澤攸ZEM20Ultro臺式場發射掃描電子顯微鏡憑借高分辨率成像能力與靈活樣品適配性，成為納米材料研發領域的核心工具。設備采用冷場發射電子槍，30kV加速電壓下分辨率達1.5nm，1kV下為10nm，可清晰捕捉金納米顆粒（粒徑5-50nm）、碳納米管（管徑2-10nm）等樣品的微觀形貌。其五軸全自動樣品臺支持X/Y/Z三軸電動移動，行程50mm×50mm×20mm，移動精度1μm，適配塊狀、粉末、薄膜等多種形態樣品。低真空模式（1Pa-100Pa）無需鍍膜即可直接觀測非導電樣品，避免傳統設備因鍍膜掩蓋缺陷的問題。設備尺寸850mm×650mm×1000mm，重量約120kg，適配普通實驗臺，無需特殊防震裝置，降低實驗室空間與成本門檻。