Sensofar干涉技術：從原理到場景應用

產品簡介

Sensofar干涉技術：從原理到場景應用
干涉技術是 Sensofar S neox 實現高精度測量的核心支撐，包含白光干涉與相位移干涉兩種模式，結合創新設計適配多樣測量需求。

產品型號：S neox

更新時間：2025-10-23

廠商性質：代理商

訪問量：114

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Sensofar干涉技術：從原理到場景應用

干涉技術是 Sensofar S neox 實現高精度測量的核心支撐，包含白光干涉與相位移干涉兩種模式，結合創新設計適配多樣測量需求。

白光干涉（CSI）基于白光短相干特性，光源經分光鏡分為參考光與測量光，反射合并后產生干涉條紋。由于白光相干長度僅微米級，僅光程差接近零時形成高對比度條紋，系統通過垂直掃描捕捉信號，結合相位分析重建形貌。該模式縱向分辨率 0.1nm，橫向分辨率 0.16μm，單次掃描深度 8mm，支持 86° 斜率表面測量，適配模具、增材制造零件等復雜結構。在量子點薄膜研究中，可定位 20μm 焊球下方 0.5μm 級微裂紋。

相位移干涉通過壓電陶瓷驅動參考鏡實現相位移動，采集多幅圖樣提取高度信息，縱向分辨率達亞納米級，且不受放大倍數影響。搭配 2.5 倍鏡頭時，既能實現大視場觀測，又保持超高縱向精度，適合大面積光滑表面測量，如光學鏡片的微觀形貌分析。

設備還集成紅、綠、藍三色 LED 光源，單次掃描可同步獲取表面形貌、膜厚分布及材料折射率，減少多次測量誤差。量子點增強型 CMOS 傳感器在 180 幀 / 秒高速采集下，仍保持 0.12μm 橫向分辨率，支持液體噴射成型等動態過程監測。

干涉技術參數與應用對應表

技術類型	分辨率參數	適配場景
白光干涉	縱向 0.1nm，橫向 0.16μm	半導體晶圓、粗糙零件
相位移干涉	亞納米級縱向精度	光學鏡片、超光滑表面
多波長干涉	同步獲取形貌與膜厚	薄膜材料檢測